Mosfet là gì? Công dụng và cách kiểm tra mosfet.

Trong bài này tất cả chúng ta sẽ tìm hiểu và khám phá cấu trúc và nguyên tắc hoạt động giải trí của mosfet. Đây là một linh phụ kiện được sử dụng rất nhiều trong những mạch công xuất vừa .

Mosfet là gì ?

Transistor hiệu ứng trường kim loại – oxit bán dẫn, viết tắt theo tiếng Anh là MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) là thuật ngữ chỉ các transistor hiệu ứng trường FET được xây dựng dựa trên lớp chuyển tiếp Oxit Kim loại và bán dẫn (ví dụ Oxit Bạc và bán dẫn Silic) tạo ra lớp cách điện mỏng giữa cực cổng (gate) kim loại với vùng bán dẫn hoạt động nối giữa cực nguồn (source) và cực máng (drain).

Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuếch đại các nguồn tín hiệu yếu. Mosfet được sử dụng nhiều trong các mạch nguồn Monitor, nguồn máy tính.

Lịch sử tăng trưởng

Transistor hiệu ứng trường được Julius Edgar Lilienfeld ĐK ý tưởng sáng tạo tiên phong năm 1926. Cùng thời đó có những điều tra và nghiên cứu của Joseph Weber năm 1930, Oskar Heil năm 1934. Tuy nhiên linh phụ kiện bán dẫn thực tế là JFET chỉ được tăng trưởng sau khi nhóm của William Shockley tại Bell Labs quan sát và lý giải hiệu ứng transistor vào năm 1947, sau văn bằng bản quyền trí tuệ nói trên 20 năm khi bằng hết hiệu lực hiện hành .
Loại JFET ( junction field-effect transistor ) tiên phong là transistor cảm ứng tĩnh ( SIT, static induction transistor ), được những kỹ sư người Nhật Jun-ichi Nishizawa và Y. Watanabe ý tưởng năm 1950. Đó là một JFET với độ dài kênh ngắn. Các MOSFET được Dawon Kahng và Martin Atalla ý tưởng năm 1959 .
Tuy nhiên cho đến những năm 1960 ứng dụng transistor trường còn rất hạn chế, đa phần là dùng JFET trong những khuếch đại analog có trở kháng ngõ vào cao và tiếng ồn thấp. Sự bùng nổ diễn ra ở thập niên đó, khi những MOSFET được dùng làm những công tắc nguồn logic trong điện tử số và có tác động ảnh hưởng thâm thúy đến sự tăng trưởng của ngành này. Ngày nay MOSFET là transistor cơ bản trong vi mạch số .

Cấu tạo Mosfet

Hình ảnh dưới đây cho thấy cấu trúc bên trong điển hình của MOSFET . Mặc dù MOSFET là một dạng FET nâng cao và hoạt động với ba thiết bị đầu cuối giống như FET nhưng cấu trúc bên trong của MOSFET thực sự khác với FET thông thường.

Cấu tạo :

• Gate ( G ) : cực cổng. G là cực tinh chỉnh và điều khiển được cách lý trọn vẹn với cấu trúc bán dẫn còn lại bởi lớp điện môi cực mỏng mảnh nhưng có độ cách điện cực lớn dioxit-silic .
• Source ( S ) cực nguồn .
• Drain ( D ) cực máng đón những hạt mang điện .
• Chất nền .

Nếu bạn nhìn vào cấu trúc, bạn có thể thấy rằng cực cổng được cố định trên lớp kim loại mỏng được cách nhiệt bởi một lớp Silicon Dioxide (SiO2) từ chất bán dẫn và bạn sẽ có thể thấy hai chất bán dẫn loại N được cố định. trong vùng kênh nơi đặt các cực cống và nguồn. Kênh giữa cống và nguồn của MOSFET là loại N, ngược lại với kênh này, chất nền là bán dẫn loại P. Điều này giúp MOSFET phân cực ở cả hai cực, tích cực hoặc tiêu cực. Nếu cực cổng của MOSFET không được phân cực, nó sẽ ở trạng thái không dẫn điện, do đó MOSFET chủ yếu được sử dụng trong việc thiết kế các công tắc và cổng logic.

Mosfet có điện trở ở giữa chân G với chân S và hơn nữa giữa chân G với chân D rất lớn, còn so với điện trở giữa chân D và chân S thì lại phụ thuộc vào trọn vẹn vào điện áp chênh lệch giữa chân G với chân S ( UGS ) .

Ký hiệu của Mosfet trong mạch điện

MOSFET là linh phụ kiện có 4 bộ phận chính : Chân máng ( Drain ), chân nguồn ( Source ), chân cổng ( Gate ) và phần thân ( Body ). Phần thân được liên kết với chân nguồn nên nó hoạt động giải trí như một linh phụ kiện 3 chân như bóng bán dẫn hiệu ứng trường. Qua đó ta thấy Mosfet này có chân tương tự với Transistor : Chân G tương tự với B. Chân D tương tự với chân C. Chân S tương tự với E .

Phân loại Mosfet và nguyên tắc hoạt động giải trí của từng loại Mosfet

MOSFET được phân thành 2 loại dựa trên ứng dụng của chúng đó là MOSFET chính sách tăng cường ( Enhancement Mode MOSFET ) E-MOSFET và MOSFET chính sách suy giảm ( Depletion Mode MOSFET ) DE-MOSFET :

• E-MOSFET – MOSFET chính sách tăng cường .

Khi không có dòng điện chạy qua cực cổng, thiết bị sẽ không hề hoạt động giải trí, nhưng một khi có điện áp tối đa, năng lực hoạt động giải trí của thiết bị được tăng cường đáng kể .

• DE-MOSFET – MOSFET chính sách suy giảm .

Khi không có điện áp chạy qua cực cổng, thiết bị hoàn toàn có thể hoạt động giải trí ở mức tối đa. Trong khi đó, điện áp qua cực cổng là dương hoặc âm thì năng lực hoạt động giải trí bị suy giảm .

Các MOSFET này được tiếp tục phân loại dựa loại chất liệu được sử dụng là kênh -N hay kênh – P:

Chế độ tăng cường kênh N ( tắt )

Về nguyên tắc thì hoạt động giải trí thì MOSFET kênh n kiểu tăng cường gần giống như MOSFET kênh p kiểu tăng cường cả hai chỉ khác nhau về mặt cấu trúc. Phần thân của MOSFET kênh n kiểu tăng cường được tạo bởi chất bán dẫn loại p pha tạp nhẹ, còn khu vực cực nguồn và cực máng pha tạp nhiều với tạp chất loại n. Ở đây ta cũng nối phần thân và cực nguồn với đất .
Khi đặt một điện áp dương ở cực cổng. Do điện tích dương ở cực cổng và hiệu ứng điện dung tương ứng, những electron của cơ chất loại p bị hút về phía cực cổng và tạo thành một lớp ion âm ngay bên dưới lớp điện môi bằng cách tái tích hợp electron tự do với lỗ trống .
Nếu liên tục tăng điện áp dương ở cực cổng đến điện áp ngưỡng, quy trình tái tích hợp sẽ bão hòa, những electron tự do sẽ khởi đầu tích góp và tạo thành một kênh dẫn điện của những electron tự do .
Các electron tự do cũng đến từ khu vực pha tạp nhiều loại n của cực nguồn và cực máng .
Bây giờ nếu đặt một điện áp dương tại cực máng, dòng điện sẽ mở màn chạy qua kênh. Điện trở của kênh phụ thuộc vào vào số electron tự do trong kênh, số electron tự do lại phụ thuộc vào vào tiềm năng của cực cổng. Vì tỷ lệ electron tự do tạo nên kênh, và dòng điện qua kênh được tăng cường khi tăng điện áp ở cực cổng, tất cả chúng ta gọi MOSFET loại này là MOSFET kênh n kiểu tăng cường .

Điện trở của kênh phụ thuộc vào vào số electron tự do trong kênh, số electron tự do lại nhờ vào vào tiềm năng của cực cổng. Vì tỷ lệ electron tự do tạo nên kênh, và dòng điện qua kênh được tăng cường khi tăng điện áp ở cực cổng .

Chế độ tăng cường kênh P. ( bật )

Tên viết tắt của nó là PMOS. Phần thân chính của thiết bị được tạo thành từ chất bán dẫn loại n có ít tạp chất như chất bán dẫn silicon hoặc gallium arsenide. Có 2 phần là chất bán dẫn loại p nằm cách nhau một khoảng chừng L như hình bên dưới .

Một lớp mỏng mảnh oxit silic ( SiO2 ) nằm phía trên lớp cơ chất ( substrate ). Người ta cũng hoàn toàn có thể sử dụng Al2O3 nhưng SiO2 được sử dụng phổ cập hơn. Lớp mỏng dính này có công dụng như một lớp điện môi. Phía trên lớp SiO2 là một lá nhôm .
Lá nhôm, chất điện môi và cơ chất là chất bán dẫn tạo thành một tụ điện trong thiết bị .

 

Các cực gắn vào 2 phần chất bán dẫn loại p là cực nguồn và cực máng. Cực gắn với lá nhôm là cực cổng. Cực nguồn và thân của MOSFET được nối đất để dễ bổ trợ hoặc rút những electron tự do theo nhu yếu trong quy trình thao tác của MOSFET .

Khi đặt một điện áp âm lên cực cổng. Nó sẽ tạo một điện thế âm tĩnh ở lá nhôm của tụ điện. Do tính điện dung, điện tích dương sẽ tích góp bên dưới lớp điện môi. Các electron tự do của chất nền loại n sẽ bị di dời do lực đẩy của tấm âm và một lớp ion dương sẽ Open .
Nếu tất cả chúng ta liên tục tăng điện áp âm tại cực cổng đến điện áp ngưỡng, do lực tĩnh điện, link hóa trị của tinh thể bên dưới lớp SiO2 mở màn bị phá vỡ. Các cặp electron – lỗ trống ( electron-hole pairs ) được tạo ra ở đó. Các lỗ trống bị hút và electron bị đẩy bởi điện tích âm của cực cổng. Mật độ lỗ trống tăng lên tạo nên một vùng lỗ trống từ khu vực cực nguồn đến cực máng. Do sự tập trung chuyên sâu của lỗ trống, vùng này có tính dẫn điện và dòng điện hoàn toàn có thể đi qua .

Khi đặt một điện áp âm tại cực máng, điện áp này làm giảm sự chênh áp giữa cực cổng và cực máng làm cho khoanh vùng phạm vi của kênh dẫn điện giảm ở cực cổng như hình bên dưới. Đồng thời dòng điện sẽ đi từ cực nguồn đến cực máng biểu lộ bằng hình mũi tên bên dưới .

Kênh tạo ra ở MOSFET phân phối một điện trở từ cực nguồn đến cực máng. Điện trở của kênh nhờ vào vào tiết diện ( cross-section ) của kênh, tiết diện của kênh lại tùy thuộc vào điện áp âm ở cực cổng. Như vậy tất cả chúng ta hoàn toàn có thể điều khiển và tinh chỉnh dòng điện từ cực nguồn đến cực máng bằng điện áp ở cực cổng. Bởi vì tỷ lệ lỗ trống tạo thành kênh và dòng điện đi qua kênh được tăng cường khi tăng điện áp âm ở cực cổng nên ta gọi MOSFET này là MOSFET kênh p kiểu tăng cường .

Chế độ suy giảm kênh N ( tắt )

Nguyên lý hoạt động giải trí của MOSFET suy giảm có hơi khác so với MOSFET tăng cường. Cơ chất của MOSFET kênh n kiểu suy giảm là chất bán dẫn loại p. Khu vực ở cực nguồn và cực máng là chất bán dẫn loại n pha tạp .
Nếu tất cả chúng ta đặt một hiệu điện thế giữa cực nguồn và cực máng sẽ có một dòng điện chạy qua hàng loạt vùng n của cơ chất .

Khi đặt một điện áp âm ở cực cổng, do hiệu ứng điện dung, những electron tự do bị đẩy và chuyển dời xuống vùng n bên dưới lớp điện môi SiO2. Kết quả là sẽ có những lớp ion điện tích dương bên dưới lớp SiO2. Bằng cách này sẽ tạo ra sự suy giảm ( depletion ) những thành phần mang điện tích trong kênh và làm cho độ dẫn điện tổng thể và toàn diện của kênh bị suy giảm. Trong trường hợp này dòng điện ở cực máng sẽ giảm với cùng một điện áp ở cực máng .
Có nghĩa là tất cả chúng ta hoàn toàn có thể trấn áp dòng điện ở cực máng bằng cách biến hóa sự suy giảm những hạt mang điện trong kênh, do đó tất cả chúng ta gọi nó là MOSFET suy giảm. Ở đây cực máng đang có điện thế dương, cực cổng điện thế âm và cực nguồn điện thế bằng 0. Vì vậy hiệu số điện áp giữa cực máng và cực cổng lớn hơn giữa cực nguồn và cực cổng. Chiều rộng của lớp suy giảm về phía cực máng sẽ lớn hơn về phía cực nguồn .

Chế độ suy giảm kênh P. ( bật )

MOSFET kênh p kiểu suy giảm thì ngược lại với MOSFET kênh n kiểu suy giảm. Ở đây kênh dẫn điện được tạo thành từ tạp chất loại p ở giữa khu vực cực nguồn và cực máng pha tạp nhiều chất bán dẫn loại p .
Khi đặt một điện áp dương ở cực cổng, những electron tự do của vùng loại p bị hút và tạo thành những ion âm tĩnh. Một vùng suy giảm được tạo thành trong kênh và độ dẫn điện của kênh bị giảm. Bằng cách này, khi đặt một điện áp dương ở cực cổng tất cả chúng ta hoàn toàn có thể điều khiển và tinh chỉnh dòng điện ở cực máng .

Điểm độc lạ giữa MOSFET kênh N và MOSFET kênh P. đó là ở kênh N, công tắc nguồn MOSFET sẽ luôn mở cho đến khi cực cổng được cung ứng điện áp. Lúc đó, công tắc nguồn sẽ được đóng lại. Ngược lại, công tắc nguồn MOSFET kênh P. sẽ luôn đóng cho đến khi được cung ứng điện .
Tương tự, điểm độc lạ giữa MOSFET chính sách tăng cường và chính sách suy giảm đó là điệp áp ở cực cổng MOSFET chính sách tăng cường luôn ở trạng thái dương, trong khi đó cực cổng MOSFET ở chính sách suy giảm hoàn toàn có thể âm hoặc dương .

Các đặc tính của Mosfet

DE-MOSFET – MOSFET chính sách suy giảm

Khi UGS = 0V :

• Trường hợp này kênh dẫn điện có công dụng như một điện trở, khi tăng điện áp UDS thì dòng ID tăng lên đến một trí số số lượng giới hạn IDss ( dòng ID bão hòa ) .
• Điện áp UDS ở trị số IDss cũng gọi là điện áp ngắt giống JFET .

Khi UGS < 0V :

• Khi này cực G có điện thế âm nên đẩy những điện trở kênh N vào vùng nền P. làm thu hẹp tiết diện kênh dẫn điện N và dòng ID bị giảm xuống do điện trở kênh dẫn điện tăng lên. Khi tăng điện thế âm ở cực G thì dòng ID càng nhỏ và đến một trị số số lượng giới hạn dòng ID gần như không còn, điện thế này ở cực G gọi là điện thế ngắt Up .

Khi UGS > 0V :

• Khi phân cực cho cực G có điện thế dương thì những điện tử thiểu số ở miền P. bị hút vào vùng N nên làm tăng tiết diện kênh, điện trở kênh bị giảm xuống và dòng ID tăng cao hơn trị số bão hoà IDss. Trường hợp này dòng ID lớn dễ làm hỏng Mosfet nên ít được sử dụng .
• Cấu tạo và ký hiệu Mosfet suy giảm kênh N

Đặc tuyến ra ID / UDS và đặc tuyến truyền đạt ID / UGS của Mosfet suy giảm kênh N .

Cấu tạo và ký hiệu Mosfet suy giảm kênh P.

Đặc tuyến ra ID / UDS và đặc tuyến truyền đạt ID / UGS của Mosfet suy giảm kênh P. .

E-MOSFET – MOSFET chính sách tăng cường

Do cấu trúc kênh bị gián đoạn nên thông thường không có dòng điện qua kênh, ID = 0 và điện trở giữa D và S rất lớn

• Cấu tạo và đặc tuyến của E-Mosfet tăng cường kênh N

Khi UGS > UGS ( th ) thì dòng ID và UGS có quan hệ với nhau theo công thức :

Mosfet tăng cường kênh P. tựa như như Mosfet tăng cường kênh N :
Cấu tạo và đặc tuyến của EMosfet kênh P.

Các chính sách hoạt động giải trí của Mosfet

Hoạt động của MOSFET hoàn toàn có thể được chia thành 3 chính sách khác nhau :

• Chế độ Cut-off – chế độ dưới ngưỡng giới hạn: Thiết bị luôn được đặt ở chế độ Tắt (OFF) và không có dòng điện chạy qua nó. Thiết bị sẽ hoạt động như là một công tắc cơ bản và chỉ sử dụng khi cần thiết. 

• Chế độ bão hòa (Saturation): Ở chế độ này, cực máng sẽ đảm bảo điện áp được giữ ổn định, dù điện áp giữa cực máng và cực muốn tăng lên. Cơ chế này chỉ diễn ra khi điện áp chạy giữa cực máng và cực nguồn vượt quá định mức cho phép. Trong trường hợp này, thiết bị sẽ hoạt động như là một công tắc khép kín với dòng điện được bão hòa. 

• Chế độ tuyến tính (Linear/Ohmic Region): Đây là chế độ mà dòng điện giữa cực máng đến cực nguồn tăng lên theo mức gia tăng của điện áp. MOSFET loại này thường thực hiện chức năng khuếch đại. 

Các thiết bị bán dẫn như MOSFET hay BJT về cơ bản hoạt động giải trí như một công tắc nguồn trong 2 trường hợp ở trạng thái Bật ( ON ) và trạng thái Tắt ( OFF ) :

• Ở trạng thái Bật, chúng phải có số lượng giới hạn điện mức hoàn toàn có thể chạy qua .
• Ở trạng thái Tắt, mức điện áp cản ( Blocking voltage ) không có một số lượng giới hạn nào .
• Khi thiết bị hoạt động giải trí ở trạng thái Bật, giá trị sụt áp về mức 0 .
• Điện trở ở trạng thái Tắt phải là vô hạn .
• Chúng không có số lượng giới hạn nào về vận tốc hoạt động giải trí .

Các thông số kỹ thuật cần quan tâm và những khái niệm tương quan

Các thông số kỹ thuật cần chú ý quan tâm khi sử dụng Mosfet .

• UDS max  : Điện áp chịu đựng lớn nhất đặt vào chân D và S.

• UGS          : Điện áp để đóng mở Mosfet.

  Xem thêm: Luật sư Hoàng Duy Hùng: Tôi đi biên giới để hải ngoại hiểu thể chế này đã chiến đấu thế nào

• ID max     : Dòng điện tối đa mà Mosfet có thể chịu đựng được.

• Pmax        : Công suất tiêu tán của Mosfet khi làm việc.

• F cắt max : Tần số cắt của Mosfet.

Các khái niệm tương quan đến Mosfet

Sò Mosfet là gì ?

• Sò là một linh phụ kiện bán dẫn được sử dụng trong amply và phối hợp với IC. Sò trong amply hoàn toàn có thể phối hợp với một tỷ Transistor trên một diện tích quy hoạnh nhỏ, đồng thời quyết định hành động hiệu suất amply giúp khuếch đại tín hiệu một cách hoàn hảo nhất hơn .
• Sò Mosfet viết tắt là Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, là Transistor hiệu ứng trường có cấu trúc và hoạt động giải trí không giống với Transistor thường thì, được sử dụng như một thiết bị khuếch đại hay một khóa điện tử .

Power Mosfet là gì ?

• Power Mosfet hay còn gọi là Mosfet hiệu suất lớn là một biến thể dẫn xuất có cấu trúc bán dẫn, hoàn toàn có thể tinh chỉnh và điều khiển bằng điện áp với dòng điện điều khiển và tinh chỉnh cực nhỏ .

Driver Mosfet là gì ?

• Driver Mosfet là trình điều khiển và tinh chỉnh dùng điện áp thấp và cấp dòng điện cho những thiết bị điện hiệu suất như Mosfet hay IGBT …

Ưu điểm và điểm yếu kém của Mosfet

Ưu điểm

• MOSFET cung ứng hiệu suất cao cao hơn trong khi hoạt động giải trí ở điện áp thấp hơn .
• Sự vắng mặt của dòng điện cực gate dẫn đến trở kháng nguồn vào cao tạo ra vận tốc chuyển mạch cao .
• Hoạt động ở hiệu suất thấp hơn và không có dòng điện .
• Có trở kháng nguồn vào cao hơn nhiều so với JFET .
• Chế tạo, sản xuất MOSFET thuận tiện hơn JFET .
• Tốc độ hoạt động giải trí cao hơn so với JFET .
• Khả năng tùy biến size rất cao .
• MOSFET không có diode cổng. Điều này làm cho nó hoàn toàn có thể hoạt động giải trí với điện áp cổng dương hoặc âm .
• Nó có mức tiêu thụ điện năng thấp để cho phép nhiều thành phần hơn trên diện tích quy hoạnh mặt phẳng chip .

Nhược điểm

• Lớp oxit mỏng mảnh làm cho những MOSFET dễ bị hỏng bởi những điện tích tĩnh điện ( tuổi thọ thấp ) .
• Điện áp quá tải làm cho nó không không thay đổi .
• Không hoạt động giải trí tốt trong tần số vô tuyến tín hiệu thấp .

Ứng dụng của Mosfet

Mosfet được ứng dụng rất nhiều trong những mạch công xuất như mạch nguyền, mạch tinh chỉnh và điều khiển tải … .

Sự sinh ra của MOSFET được cho phép sử dụng những bóng bán dẫn MOSFET làm thành phần tàng trữ tế bào bộ nhớ, một tính năng trước kia được ship hàng bởi những lõi từ tính trong bộ nhớ máy tính .

Cách mắc mosfet

Ứng dụng phổ cập của MOSFET nằm ở công tắc nguồn điện. Hình ảnh bên dưới là bản vẽ của MOSFET hoạt động giải trí với tính năng Bật / Tắt. Khi Điện áp đầu vào ở cực cổng VGS giữa G và S dương, động cơ sẽ ở trạng thái Bật và ngược lại khi điện áp âm, động cơ sẽ ở trạng thái Tắt .

Trường hợp tất cả chúng ta bật MOSFET bằng cách cung ứng lượng điện áp cần cho cực cổng, nó sẽ luôn ở trạng thái bật trừ khi vận dụng lượng điện áp 0V. Để tránh yếu tố này xảy ra, tất cả chúng ta nên luôn sử dụng điện trở kéo xuống ( R1 ). Trong những ứng dụng để điều khiển và tinh chỉnh vận tốc động cơ hay làm mờ đèn, tất cả chúng ta hoàn toàn có thể sử dụng tín hiệu PWN quy đổi nhanh. Trong trường hợp này, cực cổng của MOSFET sẽ tạo ra một dòng điện ngược chiều nhờ hiệu ứng điện dung ký sinh. Cách xử lý yếu tố này là tất cả chúng ta sử dụng tụ điện có số lượng giới hạn dòng .
Tải điện trên là loại tải điện trở nên mạch của chúng rất đơn thuần. Nếu vận dụng tải điện cảm hoặc tải điện dung, tất cả chúng ta nên sử dụng những thiết bị bảo vệ MOSFET không bị hư hỏng. Lý do là vì khi sử dụng tải điện dung mà không có điện tích thì sẽ dẫn đến sự cố ngắn mạch. Điều này sẽ làm dòng điện tăng cao và khi điện áp được ngắt khỏi tải điện sẽ có một lượng lớn điện áp ngược được tích tụ trong mạch .

Cách kiểm tra Mosfet

Cách xác lập chân của Mosfet .

Thông thường thì chân của Mosfet có lao lý chung không như Transitor. Chân của Mosfet được pháp luật : chân G ở bên trái, chân S ở bên phải còn chân D ở giữa .

Dụng cụ sẵn sàng chuẩn bị để kiểm tra Mosfet .

Một đồng hồ đeo tay vạn năng với 2 que đo, để đồng hồ đeo tay thang x1KΩ, kiểm tra dây đo còn tốt, dụng cụ kẹp linh phụ kiện cố định và thắt chặt hay miếng lót cách điện. Trước khi đo Mosfet – FET ( FET ) dùng dây dẫn hay tô vít nối tắt 3 chân của Mosfet – FET lại để khử hết điện tích trên những chân ( nguyên do FET là linh phụ kiện rất nhạy cảm, điện tích trên những chân hoàn toàn có thể tác động ảnh hưởng đến hiệu quả đo ) .

Mosfet còn tốt .

• Là khi đo trở kháng giữa G với S và giữa G với D có điện trở bằng vô cùng ( kim không lên cả hai chiều đo ) .
• Và khi G đã được thoát điện thì trở kháng giữa D và S phải là vô cùng .

Hướng dẫn cách đo

Mosfet còn tốt .

• Bước 1 : Chuẩn bị để thang đo x1KW

• Bước 2 : Nạp cho G một điện tích ( để que đen vào G que đỏ vào S hoặc D )

• Bước 3 : Sau khi nạp cho G một điện tích ta đo giữa D và S ( que đen vào D que đỏ vào S ) => kim sẽ lên .

• Bước 4 : Chập G vào D hoặc G vào S để thoát điện chân G .

• Bước 5 : Sau khi đã thoát điện chân G đo lại DS như bước 3 kim không lên

• Kết quả kiểm tra MOSFET như vậy cho ta thấy Mosfet còn tốt .

Mosfet bị hỏng .

• Bước 1 : Để đồng hồ đeo tay thang x 1KW

• Bước 2 : Đo giữa G và S hoặc giữa G và D nếu kim lên = 0 W là chập

• Bước 3 : Đo giữa D và S mà cả hai chiều đo kim lên = 0 W là chập D S

• Kết quả kiểm tra MOSFET như vậy cho thấy Mosfet đã hỏng.

Đo kiểm tra Mosfet trong mạch .

Khi kiểm tra MOSFET trong mạch, Ta chỉ cần để thang x1W
Đo giữa D và S :

• Nếu 1 chiều kim lên hòn đảo chiều đo kim không lên => là Mosfet thông thường .
• Nếu cả hai chiều kim lên = 0 W là Mosfet bị chập DS .

Đo nhanh và xem năng lực mở kênh của Mosfet .

Kiểm tra Mosfet kênh N

• Bước 1 : Đặt thang x10K, đặt Mosfet lên vật cách điện hay kẹp chặt bằng dụng cụ không dẫn điện
• Bước 2 : Đặt que đỏ vào cực S, que đen vào cực D, thường thì VOM sẽ chỉ một giá trị nào đó ( do điện tích còn sống sót trên chân G làm mở )
• Bước 3 : Giữ que đo như ở bước 2, chạm ngón tay từ cực G sang cực D sẽ thấy kim nhích lên ( thường gần bằng 0 ), chạm tay từ G sang S sẽ thấy kim tụt đi ( có trường hợp tụt gần về vô cùng ). Để thấy kim biến hóa nhiều hơn thì hay để ngón tay chạm dính nước hoặc chạm vào đầu lưỡi vào cực G

Với tác dụng này chứng tỏ đó là Mosfet còn sống, nếu ko có đổi khác là Mosfet chết .
Kiểm tra Mosfet kênh P.
Với Mosfet kênh P. cách đo những bạn thực thi tựa như như so với Mosfet kênh N nhưng cần hòn đảo que đo .

Bảng tra cứu những loại Mosfet thông dụng

Chú ý khi sử dụng Mosfet

• Điện áp kích cho Mosfet phải là dòng điện áp sạch và nằm trong khoanh vùng phạm vi được sử dụng
• Theo đặc tính, Mosfet được sử dụng trong những ứng dụng yên cầu vận tốc cao .

Kết

Mosfet là một thành phần không hề thiếu trong những mạch công xuất, những loại bộ nhớ hoàn toàn có thể xóa. Điều khiển mosfet cũng tương đối đơn thuần nên được ứng dụng rất nhiều trong thực tế .
Nếu cảm thấy bài viết có ích hay nhìn nhận và san sẻ cho bạn hữu. Đừng quên tham gia nhóm Nghiện lập trình để cùng trao đổi và liên kết nhé !

5/5 – ( 3 bầu chọn )

Source: https://evbn.org
Category: Góc Nhìn